توضیحات:
پاورپوینت ارائه کلاسی رشته برق با موضوع بررسی تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستورها، در حجم 7 اسلاید، شامل توضیحات و تصاویر.
این فایل به بررسی ساختار تکنولوژی SOI، ویژگی های آن وکاربردهای این تکنولوژی می پردازد.
بخشی از متن:
در ویفرهای SOI ترانزیستورها در لایه نازکی از سیلیکون که توسط لایه ای از عایق از بدنه اصلی ویفر جدا میشود، واقع شده اند.
ضخامت لایه سیلیکونی، بسته به کاربرد آن (کلید زنی الکترونیک قدرت یا میکروپروسسور) می تواند از حدود 500 انگستروم تا چندین میکرون تغییر کند.ضخامت لایه جداکننده (BOX)، می تواند تا چندین هزار انگستروم باشد.
فهرست مطالب:
ساختار تکنولوژی SOI
ویژگی های تکنولوژی SOI
کاربردهای تکنولوژی SOI
قفل شدگی
خازن های نفوذ با SUBSTRATE
Soft Errors
پاورپوینت ارائه کلاسی رشته برق با موضوع بررسی تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستورها، در حجم 7 اسلاید، شامل توضیحات و تصاویر.
این فایل به بررسی ساختار تکنولوژی SOI، ویژگی های آن وکاربردهای این تکنولوژی می پردازد.
بخشی از متن:
در ویفرهای SOI ترانزیستورها در لایه نازکی از سیلیکون که توسط لایه ای از عایق از بدنه اصلی ویفر جدا میشود، واقع شده اند.
ضخامت لایه سیلیکونی، بسته به کاربرد آن (کلید زنی الکترونیک قدرت یا میکروپروسسور) می تواند از حدود 500 انگستروم تا چندین میکرون تغییر کند.ضخامت لایه جداکننده (BOX)، می تواند تا چندین هزار انگستروم باشد.
فهرست مطالب:
ساختار تکنولوژی SOI
ویژگی های تکنولوژی SOI
کاربردهای تکنولوژی SOI
قفل شدگی
خازن های نفوذ با SUBSTRATE
Soft Errors
برچسب ها: پاورپوینت تکنولوژی SOI دانلود پاورپوینت تکنولوژی soi ویژگی soi کاربردهای soi تحقیق تکنولوژی SOI فناوری SOI ساخت ترانزیستور تولید ترانزیستور ترانزیستور تکنولوژی ساخت ترانزیستور کاربردهای تکنولوژی SOI قفل شدگی خازن های نفوذ با SUBSTRATE